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BYM10-1000HE3/96 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | BYM10-1000HE3/96-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | BYM10-1000HE3/96 |
Description | DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO213AB |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 1000 V 1A Montage en surface DO-213AB |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vitesse Récupération standard >500ns, > 200mA (Io) |
Fabricant | Courant - Fuite inverse à Vr 10 µA @ 1000 V |
Série | Capacité à Vr, F 8pF à 4V, 1MHz |
Conditionnement Bande et bobine | Type de montage |
Statut du composant Obsolète | Boîtier |
Technologies | Boîtier fournisseur DO-213AB |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 1000 V | Température de fonctionnement - Jonction -65°C ~ 175°C |
Courant - Moyen redressé (Io) 1A | Numéro de produit de base |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.2 V @ 1 A |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| BYM10-1000HE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-BYM10-1000HE3_A/HTR-ND | 0,31452 € | Recommandation fabricant |
| 1N5620US | Microchip Technology | 0 | 1N5620US-ND | 7,42116 € | Similaire |
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| 1N6623US | Microchip Technology | 0 | 1N6623US-ND | 11,83200 € | Similaire |



