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Équivalent paramétrique
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 149 252
Prix unitaire : 0,57000 €
Fiche technique
Équivalent paramétrique
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 114 933
Prix unitaire : 0,57000 €
Fiche technique
Équivalent paramétrique
Équivalent paramétrique
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 11 346
Prix unitaire : 0,72000 €
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 4 081
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Prix unitaire : 0,76000 €
Fiche technique
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
BYG23MHM3_A/I | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | BYG23MHM3_A/I-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | BYG23MHM3_A/I |
Description | DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 10 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 1000 V 1,5A Montage en surface DO-214AC (SMA) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Temps de recouvrement inverse (trr) 75 ns |
Fabricant | Courant - Fuite inverse à Vr 5 µA @ 1000 V |
Conditionnement Bande et bobine | Grade Automobile |
Statut du composant Actif | Qualification AEC-Q101 |
Technologies | Type de montage |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 1000 V | Boîtier |
Courant - Moyen redressé (Io) 1,5A | Boîtier fournisseur DO-214AC (SMA) |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.7 V @ 1 A | Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C |
Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) | Numéro de produit de base |
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Substituts (7)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| BYG23M-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 149 252 | BYG23M-E3/GICT-ND | 0,57000 € | Équivalent paramétrique |
| BYG23M-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 114 933 | BYG23M-E3/TR3GICT-ND | 0,57000 € | Équivalent paramétrique |
| BYG23M-M3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BYG23M-M3/TR-ND | 0,12111 € | Équivalent paramétrique |
| BYG23M-M3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 11 346 | 112-BYG23M-M3/TR3CT-ND | 0,72000 € | Équivalent paramétrique |
| BYG23MHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 4 081 | 112-BYG23MHE3_A/HCT-ND | 0,72000 € | Équivalent paramétrique |
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Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 15 000 | 0,13799 € | 2 069,85 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 0,13799 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 0,16559 € |
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