Name: TRS6V65H,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS6V65H,LQTR-ND
Price: 3.012 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

TRS6V65H,LQ
Numéro de produit DigiKey	264-TRS6V65H,LQTR-ND - Bande et bobine 264-TRS6V65H,LQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TRS6V65H,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TRS6V65H,LQ
Description	DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 4DFNEP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Diode 650 V 6A Montage en surface 4-DFN-EP (8x8)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Diodes simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)	650 V
Courant - Moyen redressé (Io)	6A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If	1.35 V @ 6 A
Vitesse	Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)	0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr	70 µA @ 650 V
Capacité à Vr, F	392pF à 1V, 1MHz
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	4-VSFN plot exposé
Boîtier fournisseur	4-DFN-EP (8x8)
Température de fonctionnement - Jonction	175°C