8-PowerVDFN,-8-TSON
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TPN3300ANH,LQ

Numéro de produit DigiKey
TPN3300ANHLQTR-ND - Bande et bobine
TPN3300ANHLQCT-ND - Bande coupée (CT)
TPN3300ANHLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant
TPN3300ANH,LQ
Description
MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
16 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 100 V 9,4 A (Tc) 700mW (Ta), 27W (Tc) Montage en surface 8-TSON Advance (3,3x3,3)
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
TPN3300ANH,LQ Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
U-MOSVIII-H
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
9,4 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
33mohms à 4,7A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 100µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
880 pF @ 50 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
700mW (Ta), 27W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
8-TSON Advance (3,3x3,3)
Boîtier
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
TPN3300
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En stock: 13 120
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
Quantité Prix unitaire Prix total
11,10000 €1,10 €
100,71600 €7,16 €
1000,48700 €48,70 €
5000,44988 €224,94 €
1 0000,43094 €430,94 €
* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
3 0000,36552 €1 096,56 €
6 0000,34506 €2 070,36 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:1,10000 €
Prix unitaire avec TVA:1,32000 €