Name: TPN1110ENH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN1110ENHL1QTR-ND
Price: 2.112 EUR
Availability: InStock

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TPN1110ENH,L1Q
Numéro de produit DigiKey	TPN1110ENHL1QTR-ND - Bande et bobine TPN1110ENHL1QCT-ND - Bande coupée (CT) TPN1110ENHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TPN1110ENH,L1Q
Description	MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 7,2 A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Montage en surface 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TPN1110ENH,L1Q Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSVIII-H
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	7,2 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	114mohms à 3,6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 200µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	7 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	600 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	700mW (Ta), 39W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-TSON Advance (3,1x3,1)
Boîtier	8-PowerVDFN
Numéro de produit de base	TPN1110