Name: TK8A60W,S4VX
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK8A60WS4VX-ND
Price: 3.384 EUR
Availability: InStock

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TK8A60W,S4VX
Numéro de produit DigiKey	TK8A60WS4VX-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK8A60W,S4VX
Description	MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 8 A (Ta) 30W (Tc) Trou traversant TO-220SIS
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK8A60W,S4VX Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	DTMOSIV
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	8 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	500mohms à 4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,7V à 400µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	18.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	570 pF @ 300 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	30W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220SIS
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base	TK8A60

Questions et réponses sur les produits

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	2,82000 €	2,82 €
50	1,41840 €	70,92 €
100	1,28190 €	128,19 €
500	1,04246 €	521,23 €
1 000	0,96555 €	965,55 €
2 000	0,92848 €	1 856,96 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.