Name: TK2R4E08QM,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK2R4E08QMS1X-ND
Price: 2.48952 EUR
Availability: OutOfStock

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TK2R4E08QM,S1X
Numéro de produit DigiKey	264-TK2R4E08QMS1X-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK2R4E08QM,S1X
Description	UMOS10 TO-220AB 80V 2.4MOHM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 120 A (Tc) 300W (Tc) Trou traversant TO-220
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK2R4E08QM,S1X Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSX-H
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,44mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 2,2mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	178 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	13000 pF @ 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	300W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220
Boîtier	TO-220-3

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
50	2,07460 €	103,73 €

Conditionnement standard du fabricant

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