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TO-220-3
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TK12E80W,S1X

Numéro de produit DigiKey
TK12E80WS1X-ND
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant
TK12E80W,S1X
Description
MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
16 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 800 V 11,5 A (Ta) 165W (Tc) Trou traversant TO-220
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
TK12E80W,S1X Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
DTMOSIV
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
800 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
11,5 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
450mohms à 5,8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 570µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1400 pF @ 300 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
165W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220
Boîtier
TO-220-3
Numéro de produit de base
TK12E80
Questions et réponses sur les produits

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0 en stock
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Demande de notification de stock
Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
14,51000 €4,51 €
502,35560 €117,78 €
1002,14800 €214,80 €
5001,78424 €892,12 €
1 0001,74359 €1 743,59 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:4,51000 €
Prix unitaire avec TVA:5,41200 €