Name: TK10A80W,S4X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK10A80W,S4X-ND
Price: 4.524 EUR
Availability: InStock

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TK10A80W,S4X
Numéro de produit DigiKey	264-TK10A80W,S4X-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK10A80W,S4X
Description	MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 800 V 9,5 A (Ta) 40W (Tc) Trou traversant TO-220SIS
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK10A80W,S4X Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	DTMOSIV
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	800 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	9,5 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	550mohms à 4,8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 450µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	19 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1150 pF @ 300 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	40W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220SIS
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base	TK10A80

Questions et réponses sur les produits

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	3,77000 €	3,77 €
50	1,93760 €	96,88 €
100	1,76070 €	176,07 €
500	1,45072 €	725,36 €
1 000	1,37004 €	1 370,04 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.