Name: SSM6N813R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6N813R,LFTR-ND
Price: 0.888 EUR
Availability: InStock

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SSM6N813R,LF
Numéro de produit DigiKey	264-SSM6N813R,LFTR-ND - Bande et bobine 264-SSM6N813R,LFCT-ND - Bande coupée (CT) 264-SSM6N813R,LFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM6N813R,LF
Description	MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 6TSOPF
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 100V 3,5 A (Ta) 1,5W (Ta) Montage en surface 6-TSOP-F
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 3,6nC à 4,5V
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 242pF à 15V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Puissance - Max. 1,5W (Ta)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement 175°C
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Configuration 2 canaux N (double)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 100V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,5 A (Ta)	Boîtier 6-SMD, sorties plates
Rds On (max.) à Id, Vgs 112mohms à 3,5A, 10V	Boîtier fournisseur 6-TSOP-F
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 100µA	Numéro de produit de base SSM6N813

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