Name: SSM6N58NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6N58NULFTR-ND
Price: 0.648 EUR
Availability: InStock

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SSM6N58NU,LF
Numéro de produit DigiKey	SSM6N58NULFTR-ND - Bande et bobine SSM6N58NULFCT-ND - Bande coupée (CT) SSM6N58NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM6N58NU,LF
Description	MOSFET 2N-CH 30V 4A 6UDFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 4A 1W Montage en surface 6-UDFN (2x2)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SSM6N58NU,LF Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 1V à 1mA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 1,8nC à 4,5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 129pF à 15V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 1W
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Configuration 2 canaux N (double)	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique, attaque 1,8V	Boîtier 6-WDFN plot exposé
Tension drain-source (Vdss) 30V	Boîtier fournisseur 6-UDFN (2x2)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4A	Numéro de produit de base SSM6N58
Rds On (max.) à Id, Vgs 84mohms à 2A, 4,5V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

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Quantité

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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