Name: SSM6N35AFE,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6N35AFELFTR-ND
Price: 0.372 EUR
Availability: InStock

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SSM6N35AFE,LF
Numéro de produit DigiKey	SSM6N35AFELFTR-ND - Bande et bobine SSM6N35AFELFCT-ND - Bande coupée (CT) SSM6N35AFELFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM6N35AFE,LF
Description	MOSFET 2N-CH 20V 0.25A ES6
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 250mA (Ta) 250mW Montage en surface ES6
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SSM6N35AFE,LF Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 1V à 100µA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 0,34nC à 4,5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 36pF à 10V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 250mW
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C
Configuration 2 canaux N (double)	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique, attaque 1,2V	Boîtier SOT-563, SOT-666
Tension drain-source (Vdss) 20V	Boîtier fournisseur ES6
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 250mA (Ta)	Numéro de produit de base SSM6N35
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,1ohms à 150mA, 4,5V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

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Quantité

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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