Name: SSM5N15FE(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM5N15FE(TE85L,F)TR-ND
Price: 0.396 EUR
Availability: InStock

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SSM5N15FE(TE85L,F)
Numéro de produit DigiKey	264-SSM5N15FE(TE85L,F)TR-ND - Bande et bobine 264-SSM5N15FE(TE85L,F)CT-ND - Bande coupée (CT) 264-SSM5N15FE(TE85L,F)DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM5N15FE(TE85L,F)
Description	MOSFET N-CH 30V 100MA ESV
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Montage en surface ESV
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SSM5N15FE(TE85L,F) Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	π-MOSVI
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	100mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 4V
Rds On (max.) à Id, Vgs	4ohms à 10mA, 4V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 100µA
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	7.8 pF @ 3 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	150mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	ESV
Boîtier	SOT-553
Numéro de produit de base	SSM5N15