SSM3K116TU,LF
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SSM3K121TU,LF

Numéro de produit DigiKey
264-SSM3K121TULFTR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant
SSM3K121TU,LF
Description
MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Référence client
Description détaillée
Canal N 20 V 3,2 A (Ta) 500mW (Ta) Montage en surface UFM
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
3,2 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
1,5V, 4V
Rds On (max.) à Id, Vgs
48mohms à 2A, 4V
Vgs(th) (max.) à Id
1V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
5.9 nC @ 4 V
Vgs (max.)
±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
400 pF @ 10 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500mW (Ta)
Température de fonctionnement
150°C
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
UFM
Boîtier
3-SMD, broches plates
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Manufacturer Quote Required
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