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Fiche technique
RN2961(TE85L,F)
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

RN1962TE85LF

Numéro de produit DigiKey
RN1962TE85LFTR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
RN1962TE85LF
Description
TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA US6
Référence client
Description détaillée
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices prépolarisés 2 NPN - Prépolarisé (double) 50V 100mA 250MHz 500mW Montage en surface US6
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Type de transistor
2 NPN - Prépolarisé (double)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
50V
Résistance - Base (R1)
10kohms
Résistance - Base d'émetteur (R2)
10kohms
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce
50 à 10mA, 5V
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic
300mV à 250µA, 5mA
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
100 nA (ICBO)
Fréquence - Transition
250MHz
Puissance - Max.
500mW
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Boîtier fournisseur
US6
Numéro de produit de base
Questions et réponses sur les produits

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Obsolète
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