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RN1962TE85LF est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
RN1962TE85LF | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | RN1962TE85LFTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | RN1962TE85LF |
Description | TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA US6 |
Référence client | |
Description détaillée | Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices prépolarisés 2 NPN - Prépolarisé (double) 50V 100mA 250MHz 500mW Montage en surface US6 |
Attributs du produit
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Catégorie | Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce 50 à 10mA, 5V |
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage | Saturation Vce (max.) à Ib, Ic 300mV à 250µA, 5mA |
Conditionnement Bande et bobine | Courant - Résiduel de collecteur (max.) 100 nA (ICBO) |
Statut du composant Obsolète | Fréquence - Transition 250MHz |
Type de transistor 2 NPN - Prépolarisé (double) | Puissance - Max. 500mW |
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 100mA | Type de montage Montage en surface |
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 50V | Boîtier 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Résistance - Base (R1) 10kohms | Boîtier fournisseur US6 |
Résistance - Base d'émetteur (R2) 10kohms | Numéro de produit de base |
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Substituts (4)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| RN1902,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | 1 658 | RN1902LF(CTCT-ND | 0,29000 € | Similaire |
| DCX114EU-13R-F | Diodes Incorporated | 9 100 | 31-DCX114EU-13R-FCT-ND | 0,20000 € | Similaire |
| DCX114EU-7-F | Diodes Incorporated | 118 956 | DCX114EU-FDICT-ND | 0,22000 € | Similaire |
| NSVMUN5211DW1T2G | onsemi | 10 474 | NSVMUN5211DW1T2GOSCT-ND | 0,25000 € | Similaire |
Obsolète
