Name: RN1106MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN1106MFVL3FTR-ND
Price: 0.156 EUR
Availability: InStock

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RN1106MFV,L3F
Numéro de produit DigiKey	RN1106MFVL3FTR-ND - Bande et bobine RN1106MFVL3FCT-ND - Bande coupée (CT) RN1106MFVL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	RN1106MFV,L3F
Description	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	42 semaines
Référence client
Description détaillée	Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples prépolarisés NPN - Prépolarisé 50 V 100 mA 150 mW Montage en surface VESM
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RN1106MFV,L3F Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Transistors bipolaires prépolarisés, simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de transistor	NPN - Prépolarisé
Courant - Collecteur (Ic) (max.)	100 mA
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)	50 V
Résistances incluses	R1 et R2
Résistance - Base (R1)	4.7 kOhms
Résistance - Base d'émetteur (R2)	47 kOhms
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce	80 à 10mA, 5V
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic	300mV à 500µA, 5mA
Courant - Résiduel de collecteur (max.)	500nA
Puissance - Max.	150 mW
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	SOT-723
Boîtier fournisseur	VESM
Numéro de produit de base	RN1106

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