Name: GT50JR22(STA1,E,S)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-GT50JR22(STA1ES)-ND
Price: 7.296 EUR
Availability: InStock

IGBT 600 V 50 A 230 W Trou traversant TO-3P(N)

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GT50JR22(STA1,E,S)
Numéro de produit DigiKey	264-GT50JR22(STA1ES)-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	GT50JR22(STA1,E,S)
Description	IGBT 600V 50A TO-3P
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	IGBT 600 V 50 A 230 W Trou traversant TO-3P(N)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors IGBT IGBT simples	Vce(on) (max.) à Vge, Ic 2,2V à 15V, 50A
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Puissance - Max. 230 W
Conditionnement Tube	Type d'entrée Standard
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 600 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 50 A	Boîtier TO-3P-3, SC-65-3
Courant - Impulsion collecteur (Icm) 100 A	Boîtier fournisseur TO-3P(N)

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (2)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
IXXH30N60B3D1	IXYS	510	IXXH30N60B3D1-ND	7,17000 €	Similaire
IXXH30N60C3D1	IXYS	546	IXXH30N60C3D1-ND	7,19000 €	Similaire

En stock: 18

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	6,08000 €	6,08 €
25	3,56840 €	89,21 €
100	2,97060 €	297,06 €
500	2,49250 €	1 246,25 €
1 000	2,33908 €	2 339,08 €
2 000	2,32129 €	4 642,58 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.