Name: BAS316,H3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-BAS316H3FTR-ND
Price: 0.18 EUR
Availability: InStock

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BAS316,H3F
Numéro de produit DigiKey	264-BAS316H3FTR-ND - Bande et bobine 264-BAS316H3FCT-ND - Bande coupée (CT) 264-BAS316H3FDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	BAS316,H3F
Description	DIODE STANDARD 100V 250MA USC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Diode 100 V 250mA Montage en surface USC
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BAS316,H3F Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Diodes simples	Temps de recouvrement inverse (trr) 3 ns
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Courant - Fuite inverse à Vr 200 nA @ 80 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité à Vr, F 0,35pF à 0V, 1MHz
Statut du composant Actif	Type de montage Montage en surface
Technologies Standard	Boîtier SC-76, SOD-323
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 100 V	Boîtier fournisseur USC
Courant - Moyen redressé (Io) 250mA	Température de fonctionnement - Jonction 150°C (maxi)
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.25 V @ 150 mA	Numéro de produit de base BAS316
Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)

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Documents et supports

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Quantité

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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