Name: CSD86330Q3D
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-28216-2-ND
Price: 3.18 EUR
Availability: InStock

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CSD86330Q3D
Numéro de produit DigiKey	296-28216-2-ND - Bande et bobine 296-28216-1-ND - Bande coupée (CT) 296-28216-6-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Texas Instruments
Numéro de produit du fabricant	CSD86330Q3D
Description	MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	6 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 25V 20A 6W Montage en surface 8-LSON (3,3x3,3)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	CSD86330Q3D Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 9,6mohms à 14A, 8V
Fabricant Texas Instruments	Vgs(th) (max.) à Id 2,1V à 250µA
Série NexFET™	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6,2nC à 4,5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 920pF à 12,5V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 6W
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 canaux N (demi-pont)	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier 8-PowerLDFN
Tension drain-source (Vdss) 25V	Boîtier fournisseur 8-LSON (3,3x3,3)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 20A	Numéro de produit de base CSD86330Q3