Name: CSD19505KTTT
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-CSD19505KTTTTR-ND
Price: 5.976 EUR
Availability: InStock

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CSD19505KTTT
Numéro de produit DigiKey	296-CSD19505KTTTTR-ND - Bande et bobine 296-CSD19505KTTTCT-ND - Bande coupée (CT) 296-CSD19505KTTTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Texas Instruments
Numéro de produit du fabricant	CSD19505KTTT
Description	MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	6 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 200 A (Ta) 300W (Tc) Montage en surface TO-263 (DDPAK-3)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	CSD19505KTTT Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,2V à 250µA
Fabricant Texas Instruments	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 76 nC @ 10 V
Série NexFET™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7920 pF @ 40 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 300W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Boîtier fournisseur TO-263 (DDPAK-3)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 200 A (Ta)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base CSD19505
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,1mohms à 100A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 75

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	4,98000 €	4,98 €
10	3,31900 €	33,19 €

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	4,98000 €
Prix unitaire avec TVA:	5,97600 €

CSD19505KTTT