CSD17313Q2Q1 Texas Instruments | Produits semi-conducteurs discrets

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CSD17313Q2Q1
Numéro de produit DigiKey	296-35548-2-ND - Bande et bobine 296-35548-1-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Texas Instruments
Numéro de produit du fabricant	CSD17313Q2Q1
Description	MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 5 A (Tc) 2,3W (Ta) Montage en surface 6-WSON (2x2)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	CSD17313Q2Q1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Texas Instruments
Série	NexFET™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT)
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	3V, 8V
Rds On (max.) à Id, Vgs	30mohms à 4A, 8V
Vgs(th) (max.) à Id	1,8V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	2.7 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	+10V, -8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	340 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,3W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	6-WSON (2x2)
Boîtier	6-WDFN plot exposé
Numéro de produit de base	CSD17313

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT)