Équivalent paramétrique
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HS1M-K | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 1801-HS1M-KTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | HS1M-K |
Description | DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 10 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 1000 V 1A Montage en surface DO-214AC (SMA) |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) |
Fabricant | Temps de recouvrement inverse (trr) 75 ns |
Conditionnement Bande et bobine | Courant - Fuite inverse à Vr 5 µA @ 1000 V |
Statut du composant Actif | Type de montage |
Technologies | Boîtier |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 1000 V | Boîtier fournisseur DO-214AC (SMA) |
Courant - Moyen redressé (Io) 1A | Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.7 V @ 1 A |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| HS1M | Taiwan Semiconductor Corporation | 0 | 1801-HS1MCT-ND | 0,34000 € | Équivalent paramétrique |
| HS1M R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | 0 | HS1MR3GTR-ND | 0,00000 € | Équivalent paramétrique |
| HS1MH | Taiwan Semiconductor Corporation | 14 656 | 1801-HS1MHCT-ND | 0,35000 € | Équivalent paramétrique |
| US1M | Taiwan Semiconductor Corporation | 5 565 | 1801-US1MCT-ND | 0,39000 € | Équivalent paramétrique |
| US1M R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | 11 212 | US1MR3GCT-ND | 0,48000 € | Équivalent paramétrique |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 7 500 | 0,04465 € | 334,88 € |
| 15 000 | 0,04052 € | 607,80 € |
| 22 500 | 0,03842 € | 864,45 € |
| 37 500 | 0,03606 € | 1 352,25 € |
| 52 500 | 0,03466 € | 1 819,65 € |
| 75 000 | 0,03330 € | 2 497,50 € |
| 187 500 | 0,03032 € | 5 685,00 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 0,04465 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 0,05358 € |








