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STP80N10F7 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
STP80N10F7 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 497-14834-5-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | STP80N10F7 |
Description | MOSFET N-CH 100V 80A TO220 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 80 A (Tc) 110W (Tc) Trou traversant TO-220 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | STP80N10F7 Modèles |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 45 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3100 pF @ 50 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 110W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 100 V | Boîtier fournisseur TO-220 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 10mohms à 40A, 10V |
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Substituts (8)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| STP100N10F7 | STMicroelectronics | 1 185 | 497-13550-5-ND | 2,47000 € | Recommandation fabricant |
| CSD19503KCS | Texas Instruments | 520 | 296-37481-5-ND | 2,53000 € | Similaire |
| DMTH10H010LCT | Diodes Incorporated | 18 | DMTH10H010LCTDI-5-ND | 2,16000 € | Similaire |
| IRF100B202 | Infineon Technologies | 1 429 | IRF100B202-ND | 2,48000 € | Similaire |
| IRFB4410PBF | Infineon Technologies | 1 615 | IRFB4410PBF-ND | 2,90000 € | Similaire |
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