Name: STP12N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-16020-5-ND
Price: 2.508 EUR
Availability: OutOfStock

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STP12N60M2
Numéro de produit DigiKey	497-16020-5-ND
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	STP12N60M2
Description	MOSFET N-CH 600V 9A TO220
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	14 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 9 A (Tc) 85W (Tc) Trou traversant TO-220
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	STP12N60M2 Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	STMicroelectronics
Série	MDmesh™ M2
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	9 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	450mohms à 4,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	16 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	538 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	85W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	STP12

Prix unitaire sans TVA:	2,09000 €
Prix unitaire avec TVA:	2,50800 €

STP12N60M2