Name: STH2N120K5-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STH2N120K5-2AGTR-ND
Price: 5.7 EUR
Availability: InStock

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STH2N120K5-2AG
Numéro de produit DigiKey	497-STH2N120K5-2AGTR-ND - Bande et bobine 497-STH2N120K5-2AGCT-ND - Bande coupée (CT) 497-STH2N120K5-2AGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	STH2N120K5-2AG
Description	MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 1,5 A (Tc) 60W (Tc) Montage en surface H2PAK-2
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	STH2N120K5-2AG Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 5.3 nC @ 10 V
Fabricant STMicroelectronics	Vgs (max.) ±30V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 124 pF @ 100 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 60W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 1200 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,5 A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier fournisseur H2PAK-2
Rds On (max.) à Id, Vgs 10ohms à 500mA, 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 100µA	Numéro de produit de base STH2N120