Name: STH150N10F7-2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-14979-2-ND
Price: 4.416 EUR
Availability: InStock

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STH150N10F7-2
Numéro de produit DigiKey	497-14979-2-ND - Bande et bobine 497-14979-1-ND - Bande coupée (CT) 497-14979-6-ND - Digi-Reel®
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	STH150N10F7-2
Description	MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	14 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 110 A (Tc) 250W (Tc) Montage en surface H2PAK-2
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	STH150N10F7-2 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 250µA
Fabricant STMicroelectronics	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 117 nC @ 10 V
Série DeepGATE™, STripFET™ VII	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 8115 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 250W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur H2PAK-2
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 110 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base STH150
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,9mohms à 55A, 10V