Name: STB35N65DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-18244-2-ND
Price: 5.772 EUR
Availability: InStock

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STB35N65DM2
Numéro de produit DigiKey	497-18244-2-ND - Bande et bobine 497-18244-1-ND - Bande coupée (CT) 497-18244-6-ND - Digi-Reel®
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	STB35N65DM2
Description	MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 28 A (Tc) 210W (Tc) Montage en surface D2PAK
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	STB35N65DM2 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	STMicroelectronics
Série	MDmesh™ M2
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	28 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	110mohms à 14A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	54 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2400 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	210W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	D2PAK
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	STB35