Name: STB34N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-13085-2-ND
Price: 7.26 EUR
Availability: InStock

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STB34N65M5
Numéro de produit DigiKey	497-13085-2-ND - Bande et bobine 497-13085-1-ND - Bande coupée (CT) 497-13085-6-ND - Digi-Reel®
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	STB34N65M5
Description	MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 28 A (Tc) 190W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	STB34N65M5 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Fabricant STMicroelectronics	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 62.5 nC @ 10 V
Série MDmesh™ V	Vgs (max.) ±25V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2700 pF @ 100 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 190W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 28 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base STB34
Rds On (max.) à Id, Vgs 110mohms à 14A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (10)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
FCB110N65F	onsemi	651	FCB110N65FCT-ND	7,13000 €	Similaire
IPB60R099C6ATMA1	Infineon Technologies	3 220	IPB60R099C6ATMA1CT-ND	6,85000 €	Similaire
IPB60R099CPAATMA1	Infineon Technologies	129	448-IPB60R099CPAATMA1CT-ND	8,48000 €	Similaire
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IPB60R125C6ATMA1	Infineon Technologies	2 682	IPB60R125C6ATMA1CT-ND	5,73000 €	Similaire