Canal N 1200 V 62 A (Tc) 246W (Tc) Trou traversant TO-247-4
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GP3T040A120H

Numéro de produit DigiKey
1560-GP3T040A120H-ND
Fabricant
SemiQ
Numéro de produit du fabricant
GP3T040A120H
Description
GEN3 1200V, 40M SIC MOSFET, TO-2
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
22 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 1200 V 62 A (Tc) 246W (Tc) Trou traversant TO-247-4
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
SemiQ
Série
QSiC™
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)
1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
62 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
18V
Rds On (max.) à Id, Vgs
52mohms à 20A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 10mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
108 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2803 pF @ 1000 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
246W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247-4
Boîtier
TO-247-4
Questions et réponses sur les produits

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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
17,22000 €7,22 €
104,90300 €49,03 €
1003,59270 €359,27 €
5003,03464 €1 517,32 €
1 0002,87225 €2 872,25 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:7,22000 €
Prix unitaire avec TVA:8,66400 €