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Produit marketplace
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
GCMX005A120B3B1P | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 1560-GCMX005A120B3B1P-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | GCMX005A120B3B1P |
Description | MOSFET 4N-CH 1200V 383A |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 383A (Tc) 1,154kW (Tc) Montage sur châssis |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | SemiQ | |
Série | - | |
Conditionnement | Plateau | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | Carbure de silicium (SiC) | |
Configuration | 4 Canal N (demi-pont) | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 383A (Tc) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 7mohms à 200A, 20V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 4V à 80mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 927nC à 20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 23500pF à 800V | |
Puissance - Max. | 1,154kW (Tc) | |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage sur châssis | |
Boîtier | Module | |
Boîtier fournisseur | - |
0 en stock
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Plateau
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 113,87000 € | 113,87 € |
| 10 | 99,31800 € | 993,18 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 113,87000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 136,64400 € |
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France