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Nouveau produit
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
GCMX003A120S3B1-N | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 1560-GCMX003A120S3B1-N-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | GCMX003A120S3B1-N |
Description | 1200V, 3M SIC MOSFET HALF BRIDGE |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 625A (Tc) 2,113kW (Tc) Montage sur châssis |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | SemiQ | |
Série | ||
Conditionnement | Boîte | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | Carbure de silicium (SiC) | |
Configuration | 2 canaux N (demi-pont) | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 625A (Tc) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 5,5mohms à 300A, 20V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 4V à 120mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 1408nC à 20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 41400pF à 800V | |
Puissance - Max. | 2,113kW (Tc) | |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage sur châssis | |
Boîtier | Module | |
Boîtier fournisseur | - |
En stock: 15
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Boîte
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 206,19000 € | 206,19 € |
| 15 | 198,60800 € | 2 979,12 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 206,19000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 247,42800 € |
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France