Name: SDS120J003D3-ISARH
Brand: Sanan Power Semiconductor
SKU: 1214-SDS120J003D3-ISARHTR-ND
Price: 2.124 EUR
Availability: InStock

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SDS120J003D3-ISARH
Numéro de produit DigiKey	1214-SDS120J003D3-ISARHTR-ND - Bande et bobine 1214-SDS120J003D3-ISARHCT-ND - Bande coupée (CT) 1214-SDS120J003D3-ISARHDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Sanan Power Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	SDS120J003D3-ISARH
Description	DIODE SIL CARB 1200V 3A TO2522L
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	7 semaines
Référence client
Description détaillée	Diode 1200 V 3A Montage en surface
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Diodes simples
Fabricant	Sanan Power Semiconductor
Série	Sanan TO252
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)	1200 V
Courant - Moyen redressé (Io)	3A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If	1.35 V @ 3 A
Vitesse	Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)	0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr	12 µA @ 1200 V
Capacité à Vr, F	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Boîtier fournisseur	TO-252-2L
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 175°C