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VT6M1T2CR est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
VT6M1T2CR | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | VT6M1T2CRTR-ND - Bande et bobine VT6M1T2CRCT-ND - Bande coupée (CT) VT6M1T2CRDKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | VT6M1T2CR |
Description | MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6 |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 20V 100mA 120mW Montage en surface VMT6 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | VT6M1T2CR Modèles |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | Rohm Semiconductor | |
Série | - | |
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Obsolète | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | Canaux N et P | |
Fonction FET | Porte de niveau logique, attaque 1,2V | |
Tension drain-source (Vdss) | 20V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 100mA | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 3,5ohms à 100mA, 4,5V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 1V à 100µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | - | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 7,1pF à 10V | |
Puissance - Max. | 120mW | |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | 6-SMD, sorties plates | |
Boîtier fournisseur | VMT6 | |
Numéro de produit de base |
Obsolète
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2 Articles
France