Name: RQ7E110AJTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ7E110AJTCRTR-ND
Price: 1.56 EUR
Availability: InStock

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RQ7E110AJTCR
Numéro de produit DigiKey	RQ7E110AJTCRTR-ND - Bande et bobine RQ7E110AJTCRCT-ND - Bande coupée (CT) RQ7E110AJTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RQ7E110AJTCR
Description	MOSFET N-CH 30V 11A TSMT8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 11 A (Tc) 1,5W (Tc) Montage en surface TSMT8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RQ7E110AJTCR Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	11 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	9mohms à 4,5A, 11V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 10mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	22 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2410 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,5W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TSMT8
Boîtier	8-SMD, broches plates
Numéro de produit de base	RQ7E110