Name: RQ3P120BLFRATCB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3P120BLFRATCBTR-ND
Price: 1.68 EUR
Availability: InStock

Nouveaux produits chez DigiKey

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RQ3P120BLFRATCB
Numéro de produit DigiKey	846-RQ3P120BLFRATCBTR-ND - Bande et bobine 846-RQ3P120BLFRATCBCT-ND - Bande coupée (CT) 846-RQ3P120BLFRATCBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RQ3P120BLFRATCB
Description	NCH 100V 12A, HSMT8AG, POWER MOS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 12 A (Tc) 40W (Tc) Montage en surface 8-HSMT (3,2x3)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	12 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	62mohms à 12A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 843µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	6.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	360 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	40W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-HSMT (3,2x3)
Boîtier	8-PowerVDFN