Name: RQ3G150GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3G150GNTBTR-ND
Price: 1.908 EUR
Availability: InStock

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RQ3G150GNTB
Numéro de produit DigiKey	RQ3G150GNTBTR-ND - Bande et bobine RQ3G150GNTBCT-ND - Bande coupée (CT) RQ3G150GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RQ3G150GNTB
Description	MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 39 A (Tc) 20W (Tc) Montage en surface 8-HSMT (3,2x3)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RQ3G150GNTB Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Pas pour les nouvelles conceptions
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	39 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	7,2mohms à 15A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	11.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1450 pF @ 20 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	20W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-HSMT (3,2x3)
Boîtier	8-PowerVDFN
Numéro de produit de base	RQ3G150