Name: RQ3G100GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3G100GNTBTR-ND
Price: 0.888 EUR
Availability: InStock

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RQ3G100GNTB
Numéro de produit DigiKey	RQ3G100GNTBTR-ND - Bande et bobine RQ3G100GNTBCT-ND - Bande coupée (CT) RQ3G100GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RQ3G100GNTB
Description	MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 10 A (Ta) 2W (Ta) Montage en surface 8-HSMT (3,2x3)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RQ3G100GNTB Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8.4 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 615 pF @ 20 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 2W (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10 A (Ta)	Boîtier fournisseur 8-HSMT (3,2x3)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-PowerVDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 14,3mohms à 10A, 10V	Numéro de produit de base RQ3G100

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (1)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
PJQ4448P_R2_00001	Panjit International Inc.	3	3757-PJQ4448P_R2_00001CT-ND	0,67000 €	Similaire

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Bande et bobine