Canal N 30 V 7 A (Ta) 2W (Ta) Montage en surface HUML2020L8
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RF4E070GNTR

Numéro de produit DigiKey
RF4E070GNTRTR-ND - Bande et bobine
RF4E070GNTRCT-ND - Bande coupée (CT)
RF4E070GNTRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant
RF4E070GNTR
Description
MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
16 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 7 A (Ta) 2W (Ta) Montage en surface HUML2020L8
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
RF4E070GNTR Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Rohm Semiconductor
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
7 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
21,4mohms à 7A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
4.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
220 pF @ 15 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
HUML2020L8
Boîtier
8-PowerUDFN
Numéro de produit de base
RF4E070
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En stock: 925
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande coupée (CT)
Quantité Prix unitaire Prix total
10,59000 €0,59 €
100,37000 €3,70 €
1000,23760 €23,76 €
5000,18058 €90,29 €
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
3 0000,13877 €416,31 €
6 0000,12698 €761,88 €
9 0000,12096 €1 088,64 €
15 0000,11421 €1 713,15 €
21 0000,11021 €2 314,41 €
30 0000,10632 €3 189,60 €
75 0000,10411 €7 808,25 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:0,59000 €
Prix unitaire avec TVA:0,70800 €