Canal N 200 V 20 A (Tc) 2,23W (Ta), 40W (Tc) Trou traversant TO-220FM
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RCX200N20

Numéro de produit DigiKey
RCX200N20-ND
Fabricant
Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant
RCX200N20
Description
MOSFET N-CH 200V 20A TO220FM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
16 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 200 V 20 A (Tc) 2,23W (Ta), 40W (Tc) Trou traversant TO-220FM
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
RCX200N20 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Rohm Semiconductor
Série
-
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
20 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
130mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1900 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2,23W (Ta), 40W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220FM
Boîtier
Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base
RCX200
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Quantité
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101,19900 €11,99 €
1000,81370 €81,37 €
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