R6024KNZ1C9 Rohm Semiconductor | Produits semi-conducteurs discrets

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R6024KNZ1C9
Numéro de produit DigiKey	R6024KNZ1C9-ND
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	R6024KNZ1C9
Description	MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 24 A (Tc) 245W (Tc) Trou traversant TO-247
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	R6024KNZ1C9 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	24 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	165mohms à 11,3A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2000 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	245W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247
Boîtier	TO-247-3

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	3,79000 €	3,79 €

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