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TO-220-3
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R6015FNX

Numéro de produit DigiKey
846-R6015FNX-ND
Fabricant
Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant
R6015FNX
Description
MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 15 A (Tc) 77W (Tc) Trou traversant TO-220FM
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
R6015FNX Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Rohm Semiconductor
Série
-
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Pas pour les nouvelles conceptions
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
15 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
350mohms à 7,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1660 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
77W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220FM
Boîtier
Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base
R6015
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Disponible sur commande
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
En vrac
Quantité Prix unitaire Prix total
5003,77506 €1 887,53 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:3,77506 €
Prix unitaire avec TVA:4,53007 €