Name: R6009ENX
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6009ENX-ND
Price: 4.68 EUR
Availability: InStock

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R6009ENX
Numéro de produit DigiKey	R6009ENX-ND
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	R6009ENX
Description	MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 9 A (Tc) 40W (Tc) Trou traversant TO-220FM
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	R6009ENX Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	En vrac
Statut du composant	Pas pour les nouvelles conceptions
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	9 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	535mohms à 2,8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	430 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	40W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220FM
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base	R6009

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