Name: QS8J4TR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: QS8J4TR-ND
Price: 1.704 EUR
Availability: InStock

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QS8J4TR
Numéro de produit DigiKey	QS8J4TR-ND - Bande et bobine QS8J4CT-ND - Bande coupée (CT) QS8J4DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	QS8J4TR
Description	MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 4A 550mW Montage en surface TSMT8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	QS8J4TR Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux P (double)
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4A
Rds On (max.) à Id, Vgs	56mohms à 4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	13nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	800pF à 10V
Puissance - Max.	550mW
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SMD, broches plates
Boîtier fournisseur	TSMT8
Numéro de produit de base	QS8J4