Name: QS8J4TR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: QS8J4TR-ND
Price: 1.8 EUR
Availability: InStock

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QS8J4TR
Numéro de produit DigiKey	QS8J4TR-ND - Bande et bobine QS8J4CT-ND - Bande coupée (CT) QS8J4DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	QS8J4TR
Description	MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 4A 550mW Montage en surface TSMT8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	QS8J4TR Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 13nC à 10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 800pF à 10V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 550mW
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Configuration 2 canaux P (double)	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier 8-SMD, broches plates
Tension drain-source (Vdss) 30V	Boîtier fournisseur TSMT8
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4A	Numéro de produit de base QS8J4
Rds On (max.) à Id, Vgs 56mohms à 4A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	1,50000 €
Prix unitaire avec TVA:	1,80000 €

QS8J4TR