Name: QS5U17TR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: QS5U17TR-ND
Price: 1.104 EUR
Availability: InStock

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QS5U17TR
Numéro de produit DigiKey	QS5U17TR-ND - Bande et bobine QS5U17CT-ND - Bande coupée (CT) QS5U17DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	QS5U17TR
Description	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	21 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 2 A (Ta) 900mW (Ta) Montage en surface TSMT5
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	QS5U17TR Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	100mohms à 2A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	3.9 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	175 pF @ 10 V
Fonction FET	Diode Schottky (isolée)
Dissipation de puissance (max.)	900mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TSMT5
Boîtier	SOT-23-5 mince, TSOT-23-5
Numéro de produit de base	QS5U17

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