Canal N 30 V 2 A (Ta) 1,25W (Ta) Montage en surface TSMT5
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QS5U13TR

Numéro de produit DigiKey
QS5U13TR-ND - Bande et bobine
QS5U13CT-ND - Bande coupée (CT)
QS5U13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant
QS5U13TR
Description
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
16 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 2 A (Ta) 1,25W (Ta) Montage en surface TSMT5
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
QS5U13TR Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Rohm Semiconductor
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
2 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
2,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs
100mohms à 2A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id
1,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
3.9 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
175 pF @ 10 V
Fonction FET
Diode Schottky (isolée)
Dissipation de puissance (max.)
1,25W (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TSMT5
Boîtier
SOT-23-5 mince, TSOT-23-5
Numéro de produit de base
QS5U13
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
3 0000,20528 €615,84 €
6 0000,18908 €1 134,48 €
9 0000,18083 €1 627,47 €
15 0000,17156 €2 573,40 €
21 0000,16674 €3 501,54 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:0,20528 €
Prix unitaire avec TVA:0,24634 €