Name: HP8MA2TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: HP8MA2TB1TR-ND
Price: 2.82 EUR
Availability: InStock

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HP8MA2TB1
Numéro de produit DigiKey	HP8MA2TB1TR-ND - Bande et bobine HP8MA2TB1CT-ND - Bande coupée (CT) HP8MA2TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	HP8MA2TB1
Description	MOSFET N/P-CH 30V 18A 8HSOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 18A (Ta), 15A (Ta) 3W (Ta) Montage en surface 8-HSOP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	HP8MA2TB1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 22nC à 10V, 25nC à 10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1100pF à 15V, 1250pF à 15V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 3W (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Configuration Canaux N et P	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30V	Boîtier 8-PowerTDFN
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 18A (Ta), 15A (Ta)	Boîtier fournisseur 8-HSOP
Rds On (max.) à Id, Vgs 9,6mohms à 18A, 10V, 17,9mohms à 15A, 10V	Numéro de produit de base HP8MA2