BSM300D12P4G101
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BSM600D12P4G103

Numéro de produit DigiKey
846-BSM600D12P4G103-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
BSM600D12P4G103
Description
MOSFET 2N-CH 1200V 567A MODULE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
24 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 567A (Tc) 1,78kW (Tc) Montage sur châssis Module
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Rohm Semiconductor
Série
-
Conditionnement
Boîte
Statut du composant
Actif
Technologies
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
2 canaux N (double)
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
567A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs
-
Vgs(th) (max.) à Id
4,8V à 291,2mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
59000pF à 10V
Puissance - Max.
1,78kW (Tc)
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Type de montage
Montage sur châssis
Boîtier
Module
Boîtier fournisseur
Module
Numéro de produit de base
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Tous les prix sont en EUR
Boîte
Quantité Prix unitaire Prix total
11 007,78000 €1 007,78 €
Prix unitaire sans TVA:1 007,78000 €
Prix unitaire avec TVA:1 209,33600 €