BSM300D12P4G101
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BSM300D12P4G101
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM400D12P2G003

Numéro de produit DigiKey
846-BSM400D12P2G003-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
BSM400D12P2G003
Description
MOSFET 2N-CH 1200V 400A MODULE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
22 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 400 A (Tc) 2450W (Tc) Module
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Rohm Semiconductor
Série
-
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Actif
Technologies
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
2 canaux N (demi-pont)
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
400 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs
-
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 85mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
38000pF à 10V
Puissance - Max.
2450W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Boîtier
Module
Boîtier fournisseur
Module
Numéro de produit de base
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11 850,79000 €1 850,79 €
Prix unitaire sans TVA:1 850,79000 €
Prix unitaire avec TVA:2 220,94800 €