Name: BSM300C12P3E201
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-BSM300C12P3E201-ND
Price: 643.488 EUR
Availability: InStock

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BSM300C12P3E201
Numéro de produit DigiKey	846-BSM300C12P3E201-ND
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	BSM300C12P3E201
Description	SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 300 A (Tc) 1360W (Tc) Montage sur châssis Module
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	En vrac
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	300 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	-
Rds On (max.) à Id, Vgs	-
Vgs(th) (max.) à Id	5,6V à 80mA
Vgs (max.)	+22V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	15000 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1360W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage sur châssis
Boîtier fournisseur	Module
Boîtier	Module
Numéro de produit de base	BSM300